在变形初期，手机市场生纳米级别的细小层错从位错胞壁形核、手机市场生然后不断滑移并扩展，其密度随拉伸应变增加而增加，逐渐演变成超高密度三维层错（和少量孪晶界）网格，直至布满整个晶粒。

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